IGZO
Оксид індію, галію та цинку (англ. Indium gallium zinc oxide, скор. IGZO) - напівпровідниковий матеріал, який може бути використаний як канал для прозорих тонкоплівкових транзисторів. Ці матеріали можуть бути заміною аморфного кремнію для активного шару РК-екранів. Рухливість електронів цього матеріалу в сорок разів вища, ніж у аморфного кремнію, що дозволяє зменшити розмір пікселя (для отримання роздільної здатності набагато вищої, ніж формат HDTV) або час відгуку екрана.
Посилання
- Photosensitivity of amorphous IGZO TFTs for Active-Matrix Flat-Panel Displays. Архів оригіналу за 26 січня 2013. Процитовано 1 жовтня 2013.
- JUSUNG Engineering Succeeds in MOCVD IGZO TFT Process and Equipment Development as the First in the World. Архів оригіналу за 26 січня 2013. Процитовано 1 жовтня 2013.
- Sharp starts punching out IGZO LCDs for retina screens
- AUO Reveals 65-inch 4K by 2K IGZO TV Panel Technology. Архів оригіналу за 26 січня 2013. Процитовано 1 жовтня 2013.
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.