Арсенід алюмінію

Арсенід алюмінію (AlAs) — непрямозонний напівпровідник.

Арсенід алюмінію
Ідентифікатори
Номер CAS 22831-42-1
PubChem 89859
Номер EINECS 245-255-0
SMILES
[Al]#[As]
InChI
1/Al.As/rAlAs/c1-2
Властивості
Молекулярна формула AlAs
Молярна маса 101,9031 г/моль
Зовнішній вигляд помаранчеві кристали
Густина 3,72 г/см³
Тпл 1740 °C (2013 K)
Показник заломлення (nD) 3 (ІЧ)
Структура
Кристалічна структура цинкової обманки
T2d-F-43m
Координаційна
геометрія
тетраедрична
Пов'язані речовини
Інші (напівпровідник) Арсенід галію, арсенід індію, антимонід алюмінію, арсенід бору
Якщо не зазначено інше, дані наведено для речовин у стандартному стані (за 25 °C, 100 кПа)
Інструкція з використання шаблону
Примітки картки

Арсенід алюмінію має майже однаковий період кристалічної ґратки з арсенідом галію, але має більшу ширину забороненої зони. Завдяки збігу періодів ґратки арсенід галію, арсенід алюмінію та їхні сплави добре утворюють гетеропереходи й гетероструктури, а тому широко використовується в напівпровідниковій електроніці.

Примітки

    Література

    • Отфрид Маделунг, «Физика полупроводниковых соединений элементов ІІІ и V групп» (перевод с англ.), М. «Мир» — 1967, 478 с.
    • Курносов А. И. (1980). Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. Москва: Высшая школа.
    This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.