Гомоннай Олександр Васильович

Народився 3 липня 1957 року на Закарпатті.

У 1978 році закінчив з відзнакою фізичний факультет Ужгородського державного університету за спеціальністю «Фізик. Викладач фізики», у тому ж році викладав у Ужгородській вечірній середній школі № 2[1].

З 1978 по 1982 роки — аспірант кафедри фізики напівпровідників Ужгородського державного університету[2].

16 квітня 1982 року Олександру Гомоннаю було присуджено науковий ступінь кандидата фізико-математичних наук (тема — «Кінетика параметру порядку в системі одновісних сегнетоелектриків»)[3].

У 1982—1983 роках працює молод­шим науковим співробітником лабораторії № 24 Всесоюзного науково-дослідного інституту монокристалів, а згодом, у 1983—1984 — інженером-конструктором 1 категорії Спеціального конструкторського бюро засобів аналітичної техніки[1].

З 1984 по 1992 працює в Інституті ядерних досліджень АН УРСР завідувачем сектору відділу наукового приладобудування та радіаційних випробовувань матеріалів і конструкцій Спеціального конструкторсько-технологічного бюро з експериментальним виробництвом[2].

У 1992 році — старший науковий співробітник відділу фізики кристалів Ужгородського відділення Інституту ядерних досліджень АН УРСР[1].

У 1992—2007 роках працює старшим науковим співробітником, провідним науковим співробітником відділу фізики кристалів Інституту електронної фізики НАН України[2].

25 червня 2004 року рішенням спеціалізованої ради при Інституті фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України присуджено науковий ступінь доктора фізико-математичних наук (тема дисертації «Індуковані високо­енергетичним опроміненням ефекти у фосфідних і халькогенідних напів­провідниках»)[4].

У 2005 році присвоєнно звання старшого наукового співробітника[3].

Від 2007 року — завідувач відділу матеріалів функціональної електроніки ІЕФ НАН України, також за сумісництвом з 2005 року — професор кафедри прикладної фізики Ужгородського національного університету[3].

• Державна премія України в галузі науки і техніки (2017) — за роботу «Фотоніка напівпровідникових та діелектричних наноструктур»[5].

Галузі наукових інтересів: фізика наносистем, оптика, радіаційна фізика твердого тіла. Має понад 200 наукових праць та 6 патентів і 2 авторські свідоцтва на винаходи[6].

• Гомоннай А. В., Грабар А. А., Высочанский Ю. М. и др. Расщепление фазового перехода в сегнетоэлектрических твердых растворах Sn2P2(Sex S1?x)6 // ФТТ. — 1981. — Т. 23.–N 12. — С. 3602–3607.;
• Gomonnai A.V., Azhniuk Yu.M., Lopushansky V.V. et al. High-energy electron irradiation effects on CdS1?xSex quantum dots in borosilicate glass // Phys. Rev. B. — 2002. — V. 65 — No 24. — P. 245327-1–245327-7.;
• Gomonnai A.V., Azhniuk Yu.M., Vysochanskii Yu.M. et al. Raman and x-ray diffraction studies of nanometric Sn2P2S6 crystals // J. Phys.: Condens. Matter. — 2003. — V. 15. — No 37. — P. 6381–6393.;
• Azhniuk Yu.M., Milekhin A.G., Gomonnai A.V. et al. Resonant Raman studies of compositional and size dispersion of CdS1?xSex nanocrystals in glass matrix // J. Phys.: Condens. Matter. — 2004. — V. 16. — No 49. — P. 9069–9082.

• З. З. Торич. Енциклопедія сучасної України : у 30 т. / ред. кол. : І. М. Дзюба [та ін.] ; НАН України, НТШ. — К. : [б. в.], 2006. — Т. 6 : Го — Гю. — С. ?. — ISBN 966-02-3966-1.