Птащенко Олександр Олександрович

Народився 10 січня 1940 р. у с. Журавка, Миколаївського р-ну Одеської обл.

Навчався у Журавській семирічній школі, а 8–10 класах уже в школі сусіднього села — у Червоному Куті (нині — Чорний Кут). Вищу освіту одержав в Одеському державному університеті імені І. І. Мечникова (ОДУ; нині – Одеський національний університет міні І. І. Мечникова, ОНУ) на фізичному відділенні фізико-математичного факультету за спеціалізацією «теоретична фізика» з 1956 по 1961 рр.

Після першого курсу, разом з друзями-старшокурсниками та кишинівськими студентами був скерований у рамках проекту СРСР з подолання нестачі продовольства "Освоєння цілини" працював у радгоспі в с. Соколовка Північного Казахстану, тодішньої Павлоградської області (липень–вересень), друга поїздка на цілину відбулася у 1958 р., за що отримав у цьому ж році медаль «За освоєння цілинних земель»

З 1961 по 1963 рр. навчався в очній аспірантурі[1] на кафедрі експериментальної фізики ОДУ, спочатку науковим керівником дисертаційного дослідження був завідувач кафедри, доцент Сьора Трохим Якович, який завчасно відійшов у вічність, згодом науковим наставником став академік НАН Вадим Євгенович Лашкарьов (на початку 1963 р.) та О. О. Птащенко продовжив науку як аспірант заочної аспірантури (1963–1965) в Інституті фізики напівпровідників НАНУ. Перебуваючи в аспірантурі вчений почав працювати на кафедрі експериментальної фізики на посаді асистента (1963), згодом, у 1967 р., був переведений на посаду старшого викладача цієї ж кафедри.

Кандидатську дисертацію захистив у 1968 р. «Исследование примесной фотопроводимости и ее инфракрасного гашения в полупроводниковых веществах типа CdS».[2] У 1969 р. на фізичному факультеті ОДУ (фізико-математичний факультет був розділений у 1960 р. на фізичний та механіко-математичний) була створена кафедра фізичної електроніки під керівництвом доктора технічних наук, професора Преснова Віктора Олексійовича. На цю кафедру перейшов працювати О. О. Птащенко у 1970 р., що згодом була перейменована на кафедру фізики твердого тіла та твердотільної електроніки. У 1987 р. захистив докторську дисертацію «Нерівноважні процеси в сильних електричних полях у випромінюючих структурах з потенціальними бар'єрами на основі напівпровідників ${\displaystyle A^{III}B^{V}}$».

З 1988 по 2018 рр. працював на посаді професора кафедри фізики твердого тіла та твердотільної електроніки[3], а з 2005 р. — завідувача однойменної кафедри Одеського національного університету імені І. І. Мечникова.

Олександр Олександрович Пташенко є членом Українського фізичного товариства, членом товариства «Просвіта», на посаді голови Одеського відділення перебував з 2003 по 2005 рр. О. О. Птащенко займався також і громадською діяльністю, зокрема організував встановлення в Одесі трьох меморіальних дошок[4]: лауреату Державної премії України професору Віктору Олексійовичу Преснову, засновникові української бібліографії, одному із засновників Одеської «Просвіти» Михайлу Федоровичу Комарову та видатному актору театру та кіно, народному артисту України, лауреату премії імені Олексія Попова Миколі Йосиповичу Сльозці.

Наукові інтереси вченого пов'язані з узагальненням феноменологічної теорії проходження струму в напівпровідникових структурах з потенціальними бар'єрами; вченим розроблено модель ізотипних гетеростуктур для створення високоефективних джерел світла на основі напівпровідників; встановлено закономірності електричних, магнітоелектричних та фотоелектричних явищ в p-i-n структурах з базою із релаксаційного напівпровідника з глибокими рівнями, на основі цих структур запропонував високочутливі сенсори температури, магнітного поля; розроблено методики діагностики деградаційних процесів у напівпровідникових приладах тощо. А також О. Птащенко вивчив закономірності деградації та розробив моделі деградаційних процесів, пов'язаних з генерацією, перенесенням та накопиченням дефектів у неоднорідних напівпровідникових p-n, p-i-n, n-i-n структурах. Результати своєї роботи були втіленні не лише в доповідях, публікаціях, а й в переданні їх молодому поколінню, читаючи різноманітні лекційні курси та спецкурси в ОНУ, зокрема «Фізичні основи твердотільної електроніки», «Нелінійна оптика і квантова електроніка», «Фізичні основи оптоелектронiки», «Квантова електроніка і оптоелектроніка», «Проблеми сучасної фізики».

Олександр Олександрович Птащенко є науковим керівником низки досліджень за держбюджетними темами, зокрема деградаційні процеси у світло-випромінюючих структурах, просторові властивості та поляризація випромінювання лазерних гетероструктур; дослідження поверхневих явищ і нерівноважних процесів у шаруватих структурах оптоелектроніки; дослідження квантово-розмірних оптичних явищ у наночастинках галоїдів срібла, сформованих у пористих силікатних склах.

Він — автор понад 200 наукових праць, 4 винаходів, 10 навчально-методичних праць, понад 20 літературних публікацій, зокрема і таких поетичних збірок як «Любов і біль», «Нищені — не знищені» та «Вклоняюсь Вам».

Під керівництвом ученого захищено 12 кандидатських дисертацій[5]: Тимохов Ф. П. «Електролюмінесценція ізотопних гетероструктур на основі GaAs и Ga₁₋x AlхAs» (1979)[6]; Марютін В. І. «Дослідження електричних, фотоелектричних і магнітних властивостей р-ν-n структур на основі GaAs» (1982)[7]; Ірха В. І. «Дослідження деградаційних процесів у світловипромінювальних структурах на основі ${\displaystyle {\ce {Ga{1-x}Al{x}As}}}$ під дією оптичного, рентгенівського та γ-випромінювання» (1983)[8]; Калиниченко Л. Ф. «Деградація інжекційної електролюмінесценції GaAs, GaAsP та GaAlAs при низьких рівнях інжекції» (1985)[9]; Ем Рен Сік «Деградація структур метал–арсенід галію» (1985)[10]; Белаль Т. «Вплив глибоких рівнів на електролюмінесценцію p-n переходів на основі GaAsP та GaAlAs» (1986)[11]; Мороз (Маслєєва) Н. В. «Вплив дислокацій на електричні властивості та електролюмінесценцію p-n переходів на основі GaAlAs та GaAsP» (1986); Цап Б. В. «Деградація p-n переходів на основі GaAlAs та GaAsP під дією лазерного випромінювання»[12] (1988); Фусік М. «Вплив іонного опромінення на рекомбінаційні процеси у випромінюваних p-n переходах на основі GaAsP»[13] (1989); Наджіп М. Н. «Вплив дислокацій на рекомбінаційні процеси у випромінюваних p-n переходах на основі GaP»[14] (1991); Мелконян Д. В. «Рекомбінація носіїв заряду у випромінюваних p-n переходах на основі GaP з неоднорідностями»[15] (1994); Артеменко О. С. «Вплив адсорбції молекул аміаку на поверхневі явища в p-n переходах на основі напівпровідників A^IIIB^V»[16] (2004).

1. Архів НБ ОНУ. – Ф. 2. – Од. зб. 961.
2. Птащенко Олександр Олександрович // Вчені ОНУ : інформ. ресурс / НБ ОНУ. – Електрон. дані. – Одеса, 2018. – Режим доступу: https://bit.ly/2ZjptwB (дата звернення: 23.09.2021). – Загол. з екрана.
3. Птащенко Олександр Олександрович // Випускники Одеського національного університету імені І. І. Мечникова : енциклопед. слов. / Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова, Наук. б-ка ; авт. вступ. ст. та гол. ред. І. М. Коваль ; відп. ред. М. О. Подрезова. – Одеса : ОНУ, 2019. – С. 474–475.
4. Птащенко Олександр Олександрович // Вчені вузів Одеси : біобібліогр. довід. – Одеса, 2018. – Вип. ІІ : Природничі науки. 1946–2017, ч. 4 : Фізики. Астрономи / упоряд. А. В. Іванченко. – С. 138–140.
5. Птащенко Олександр Олександрович // Професори Одеського (Новоросійського) університету : біогр. слов. : в 4 т. / ОНУ ім. І. І. Мечникова, Наук. б-ка ; відп. ред. В. А. Сминтина. – 2-е вид. – Одеса : Астропринт, 2005. – Т. 3 : К–П. – С. 577–579. посилання
6. Різників О. Два крила у професора / О. Різників // Птащенко О. О. Наша Голгофа : думи / О. О. Птащенко. – Одеса : Астропринт, 2014. – С. 3–6.
7. Солошенко В. І. Дослідження фізичних основ матеріалів і структур електронної техніки на кафедрі фізики твердого тіла і твердотільної електроніки // Фізичний факультет Одеського національного університету ім. І. І. Мечникова, 1865–2000 : зб. ст. – Одеса, 2001. – С. 91–100.

1. Птащенко О. О. В аспірантурі / О. О. Птащенко // Птащенко О. О. Відлуння зустрічей і вражень : [спогади]. – Одеса : Астропринт, 2021. – С. 32–35.
2. Птащенко А. А. Исследование примесной фотопроводимости и ее инфракрасного гашения в полупроводниковых веществах типа CdS : дис. … канд. физ.-мат. наук : 01.00.00 / А. А. Птащенко. – Одесса, 1968. – 203 с.
3. Солошенко В. І. Дослідження фізичних основ матеріалів і структур електронної техніки на кафедрі фізики твердого тіла і твердотільної електроніки // Фізичний факультет Одеського національного університету ім. І. І. Мечникова, 1865–2000 : зб. ст. – Одеса, 2001. – С. 91–100.
4. В Одесі відкрили меморіальну дошку народному артистові України Миколі Сльозці [електронний ресурс] / фото: Г. Толкової // Одеський академічний український музично-драматичний театр ім. В. Василька : офіц. сайт. – Електрон. дан. – Одеса. – Режим доступа: https://bit.ly/3ElcytB (дата звернення: 22.10.2021). – Загол. з екрана
5. Птащенко Олександр Олександрович // Вчені ОНУ : інформ. ресурс / НБ ОНУ. – Електрон. дані. – Одеса, 2018. – Режим доступу: https://bit.ly/2ZjptwB (дата звернення: 23.09.2021). – Загол. з екрана.
6. Тимохов Ф. П. Электролюминесценция изотипных гетероструктур на основе GaAs и Ga₁₋x AlхAs : автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук / Ф. П. Тимохов. – Одесса, 1979. – 19 с.
7. Марютин В. И. Исследование электрических, фотоэлектрических и магнитных свойств p-υ-n-структур на основе GaAs<0>  : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. И. Марютин. – Одесса, 1982. – 154 с.
8. Ирха В. И. Исследование деградационных процессов в светоизлучающих структурах на основе Ga1-х Alх As под действием оптического, рентгеновского и γ -излучения : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. И. Ирха. – Одесса, 1983. – 160 с.
9. Калиниченко Л. Ф. Деградация инжекционной электролюминесценции GaAs, GaAsP и GaAlAs при низких уровнях инжекции : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Л. Ф. Калиниченко. – Одесса, 1985. – 201 с.
10. Эм Рен Сик Деградация структур металл-арсенид галлия : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Эм Рен Сик. – Одесса, 1985. – 149 c.
11. Белаль Т. Влияние глубоких уровней на электролюминесценцию p-n-переходов на основе GaAlAs и GaAsP : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Т. Белаль. – Одесса, 1986. – 169 с.
12. Цап Б. В. Деградация p-n-переходов на основе GaAlAs и GaAsP под действием лазерного облучения : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Б. В. Цап. – Одесса, 1988. – 15 с.
13. Фусик М. Влияние ионного облучения на рекомбинационные процессы в излучающих р-п-гетеропереходах на основе GaAsP : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / М. Фусик. – Одесса, 1989. – 157 с.
14. Наджип М. Н. Влияние дислокаций на рекомбинационные процессы в излучающих p-n-переходах на основе CaP : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / М. Н. Наджип. – Одесса, 1991. – 16 с.
15. Мелконян Д. В. Рекомбинация носителей заряда в воспринимающих p-n-переходах на основе GaP с неоднородностями : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Д. В. Мелконян. – Одесса, 1994. – 16 c.
16. Артеменко О. С. Вплив адсорбції молекул аміаку на поверхневі явища в p-n переходах на основі напівпровідників A^IIIB^V : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / О. С. Артеменко ; Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова. – Одеса, 2004. – 20 с.