Рассел Ол
Рассел Ол | |
---|---|
Russell Ohl | |
Народився |
30 січня 1898 Аллентаун, Пенсільванія, США |
Помер |
20 березня 1987 (89 років) Віста, Каліфорнія, США |
Країна | США |
Діяльність | винахідник, фізик, інженер |
Галузь | напівпровідники |
Заклад |
Bell Labs Університет штату Пенсильванія |
Відомий завдяки: | відкриття p-n-переходу |
Рассел Ш'юмейкер Ол (англ. Russell Shoemaker Ohl; 30 січня 1898 — 20 березня 1987)) — американський інженер, відомий своїми дослідженнями напівпровідників ще до відкриття транзистора. У 1946 році він отримав патент США на конструкцію сучасного сонячного елементу (U.S. Patent 2 402 662)[1].
У 1939 році Ол відкрив явище p-n-переходу[2]. В той час мало хто знав про домішки в кристалах напівпровідників, але Расселу вдалося виявити, що через наявність цих домішок деякі ділянки напівпровідника мали більший опір, і як наслідок, гірше проводили електричний струм. Бар'єр між ділянками різної «чистоти» змушував напівпровідниковий діод працювати. Усі сучасні діоди (світлодіоди, лазерні і т. д.) є нащадками робіт Ола.
Примітки
- Riordan M. & Hoddeson L. The origins of the pn junction (англ). IEEE Spectrum, June 1997, pp. 46-51. Архів оригіналу за 28 червня 2012. Процитовано 6 жовтня 2010.
- Silicon P-N Junction (англ). 1999, ScienCentral Inc. and American Institute of Physics. Процитовано 19 жовтня 2015.
Посилання
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.