Типи корпусів мікросхем

Корпус інтегральної мікросхеми — це герметична несуча система і частина конструкції, призначена для захисту кристалу інтегральної схеми від зовнішніх впливів і для електричного з'єднання із зовнішніми колами за допомогою виводів.

Означення величин

Поверхневий монтаж

A general surface mount chip, with major dimensions.

 C  Проміжок між корпусом і платою
 H  Загальна висота (Height)
 T  Товщина виводів
 L  Загальна довжина (Len)
 L_W Ширина виводу
 L_L Довжина виводу
 P  Відстань між центрами виводів (Pitch)
 W_B Ширина (без виводів)
 W_L Загальна ширина

Монтаж в отвори

A general through hole pin chip, with major dimensions.

 C  Проміжок між корпусом і платою
 H  Загальна висота
 T  Товщина вивода
 L  Загальна довжина 
 L_W Ширина виводу
 L_L Довжина виводу
 P  Відстань між центрами виводів (Pitch), або крок
 W_B Ширина (тільки корпус)
 W_L Загальна ширина

Розміри в мм

Дворядні

Тип	Pin	Назва	Корпус	W_B	W_L	H	C	L	P	L_L	T	L_W
DIP	Y	Dual Inline Package	8-DIP	6.2-6.48	7.62	7.7		9.2-9.8	2.54 (1/10 inch)	3.05-3.6		1.14-1.73
DIP	Y	Dual Inline Package	32-DIP		15.24				2.54 (1/10 inch)
MSOP	Y	Mini Small Outline Package	8-MSOP	3	4.9	1.1	0.15	3	0.65		0.23	0.38
SO SOIC SOP	Y	Small Outline Integrated Circuit	8-SOIC	3.9	5.8-6.2	1.72	0.10-0.25	4.8-5.0	1.27	1.05	0.19-0.25	0.39-0.46
			14-SOIC	3.9	5.8-6.2	1.72	0.10-0.25	8.55-8.75	1.27	1.05	0.19-0.25	0.39-0.46
			16-SOIC	3.9	5.8-6.2	1.72	0.10-0.25	9.9-10	1.27	1.05	0.19-0.25	0.39-0.46
			16-SOIC	7.5	10.00-10.65	2.65	0.10-0.30	10.1-10.5	1.27	1.4	0.23-0.32	0.38-0.40
SOT	Y	Small Outline Transistor	SOT-23-8	1.6	2.8	1.45		2.9	0.65	0.6		0.22-0.38
SSOP	Y	Shrink Small-Outline Package	16-SSOP	5.3	7.8	2		6.2	0.65
TDFN	?	Thin Dual Flat No-lead	8-TDFN	3	3	0.7-0.8		3	0.65	N/A		0.19-0.3
TSOP I	Y	Thin Small-Outline Package	TSOP28/32		18.4			8	0.5
TSOP II	Y	Thin Small-Outline Package	TSOP32		10.2			21	1.27
TSSOP	Y	Thin Shrink Small Outline Package	8-TSSOP	4.4	6.4	1.2	0.15	3	0.65		0.09-0.2	0.19-0.3
µSOP	Y	Micro Small Outline Package	10-MSOP	3				3	0.5
LLP (DFN)	Y	Leadless Leadframe Package	10-LLP	3				3	0.5

По чотирьох сторонах

Family	Pin	Name	Package	W_B	W_L	H	C	L	P	L_L	T	L_W
PLCC	Y	Plastic Leaded Chip Carrier	20-PLCC	10		4.4		10	1.27	N/A
CLCC	N	Ceramic Leadless Chip Carrier	48-CLCC	14.22	14.22	2.21		14.22	1.016	N/A		0.508
LQFP	Y	Low-profile Quad Flat Package
TQFP	Y	Thin Quad Flat Pack	TQFP-44	10.00	12.00		0.35-0.50		0.80	1.00	0.09-0.20	0.30-0.45
LFCSP	N	Lead Frame Chip Scale Package							0.5
TQFN (MLPQ)	N	Thin Quad Flat No-lead (micro-leadframe package quad)

Історія різних видів корпусів

Логічний елемент, ІМС Texas Instruments SN5451, в корпусі англ. Flat package (FP) винайденому Y. Tao в 1962 році, за два роки до винаходу DIP

Корпус PGA (Pin grid array)

Найперші інтегральні схеми пакувались в пласкі керамічні корпуси. Такий тип корпусів широко використовується військовими через його надійність і невеликий розмір. Комерційні мікросхеми перейшли на DIP (англ. Dual In-line Package), спочатку керамічний (CDIP), а потім пластиковий (PDIP). В 1980-х роках кількість контактів НВІС перевищила можливості DIP корпусів, що привело до розробки корпусів PGA (англ. pin grid array) і LCC (англ. leadless chip carrier). В кінці 80-х, з ростом популярності поверхневого монтажу, з'являються корпуси SOIC (англ. Small-Outline Integrated Circuit), які мають на 30-50% меншу площу і на 70% тонші, ніж DIP, і корпуси PLCC (англ. Plastic leaded chip carrier). В 90-х починається широке використання пластикових QFP і TSOP (англ. thin small-outline package) для ІС з великою кількістю виводів. Для складних мікропроцесорів, особливо для тих, які вставлялись в сокети, почали випускати PGA-корпуси. Intel і AMD перейшли від корпусів PGA до LGA (англ. land grid array, матриця контактних площинок).

Корпуси BGA (англ. Ball grid array) існують з 1970-х років. В 1990-х були розроблені корпуси FCBGA (BGA з перевернутим кристалом), які допускають набагато більшу кількість виводів, чим інші типи корпусів. В FCBGA кристал монтується в перевернутому вигляді і з'єднується з контактами корпуса через стовпчики (кульки) припою.

Монтаж методом перевернутого кристалу дозволяє розташовувати контактні площинки по всій площі кристалу, а не тільки по краях.

Активно розвивається подхід з розміщенням кількох чипів в одному корпусі, так звана «Система-в-корпусі» (англ. System In Package, SiP) або на загальній підкладинці, часто керамічній, так званий MCM (англ. Multi-Chip Module).

Див. також

Посилання

This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.