Квантова яма

Квантова яма, квантова стінка — плоска напівпровідникова гетероструктура, в якій тонкий шар напівпровідника з вужчою забороненою зоною затиснутий між двома напівпровідниками з широкою забороненою зоною таким чином, щоб забезпечити розмірне квантування електронних рівнів.

Рух квазічастинок (електронів чи дірок) у квантових ямах обмежений в одному напрямку і вільний у двох інших напрямках. Тому енергетичні квазічастинок рівні утворюють мінізони.

Енергію дна кожної із мінізон можна приблизно оцінити за допомогою виразу

,

де n — номер мінізони,  ефективна маса відповідної квазічастки, d — ширина квантової ями. Формула справедлива лише тоді, коли розразована енергія менша за глибину ями.

В межах однієї мінізони густина станів не залежить від енергії, але коли значення енергії перевищує енергію дна наступної мінізони, густина станів зростає стрибком.

Застосування

Квантові ями застосовуюються в напівпровідникових приладах: діодах, транзисторах для покращення їхніх характеристик. Наприклад, резонансний тунельний діод використовує квантову яму в оточенні двох бар'єрів для створення від'ємної диференціальної провідності.

Див. також

Література

  • Глосарій термінів з хімії // Й.Опейда, О.Швайка. Ін-т фізико-органічної хімії та вуглехімії ім. Л.М.Литвиненка НАН України, Донецький національний університет — Донецьк: «Вебер», 2008. — 758 с. — ISBN 978-966-335-206-0


This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.