Са Чжітан

Са Чжітан (англ. Chih-Tang (Tom) Sah, кит. 萨支唐, {{|н}} листопад 1932, Пекіні, Китай). Сьогодні почесний член відділення Електричної та Комп'ютерної інженерії Університету Флориди.[1]

Са Чжітан
Народився 1932(1932)
Пекін, Китай
Місце проживання США, Китай
Країна Американське
Діяльність фізик, викладач університету
Alma mater Стенфордський університет і Іллінойський університет
Галузь Фізика
Заклад Стенфордський університет
Іллінойський університет
Ступінь доктор філософії
Членство Американське фізичне товариство, Китайська академія наук, Академія Сінікаd і Національна інженерна академія США
Відомий завдяки: Надрешітки
Рід Q10565783?
Батько Adam Pen-Tung Sahd
Нагороди

J. J. Ebers Awardd (1981)

член Американського фізичного товариства

honorary doctor of the Xiamen Universityd (2010)

Знайшов популярність в фізиці та техніці відомою моделлю Са при розгляді стандартних МДН-транзисторів, опублікованою в 1964 році.[2][3] Суть моделі Са полягає у спрощенні розгляду режиму сильної інверсії на поверхні напівпровідника, що виникає внаслідок ефекту поля і дозволяє отримати аналітичний розв'язок для вольт-амперних характеристик (ВАХ) МДН-транзисторів. В свою чергу це дозволило осмислено використовувати МДН-транзистори в техніці, бурхливий розвиток якої в 70-ті роки привів до розробки НВІС (надвеликих інтегральних схем), що широко використовуються навіть сьогодні при виробництві мікропроцесорів.

Список нагород
  • 2004 — Honorary Doctorate, National Chao-Tung University
  • 2003 — Distinguished Lifetime Achievement Award, Chinese Institute of Engineers USA
  • 2002 — Committee-100 Pioneer Recognition Award
  • 2000 — Вибраний в Китайську Академію Наук
  • 1999 — Academician, Academia Sinica of China in Taiwan
  • 1999 — Semiconductor Industry Association University Research Award
  • 1998 — University Research Award, U S Semiconductor Industry Association
  • 1995 — Fellow, American Association of Advanced of Science
  • 1995 — IEEE Life Fellow
  • 1994 — Alumni Achievement Award, University of Illinois
  • 1989 — IEEE Jack Morton Award
  • 1986 — Вибраний в Американську національну Академію Інженерів
  • 1981 — J. J. Ebers Award, IEEE Electron Device Society
  • 1975 — Doctoris Honoris Causa, K. U. Leuven
  • 1971 — Член Американського Фізичного Товаристства
  • 1969 — Член Американського Інституту з Електрики та Електронної Інженерії (IEEE)
  • 1000 World's Most Cited Scientists, 1865—1978, Інститут наукової інформації

Виноски
  1. www.ece.ufl.edu/people/faculty/sah.html. Архів оригіналу за 12 листопада 2007. Процитовано 25 квітня 2008.
  2. C.T.Sah, IEEE Trans.Electron Devices ED-11, 324 (1964)
  3. Accuracy of Long-Wide Channel Thick-Base MOS Transistor Models, B.B. Jie and Chih-Tang Sah, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.54, no.8, August 2007.

Патенти
  • 3,204,160 — Surface Potential Controlled Semiconductor Device, August 1965
  • 3,280,391 — High Frequency Transistor, October 1966
  • 3,243,669 — Surface Potential Controlled Semiconductor Device, March 1969
  • Patent Pending — DCIV Methodology for Rapid Determination of Reliability of Transistors, with A. Neugroschel
  • 4,343,962 — Oxide Charge Induced High Low Junction Emitter Solar Cell, with J. G. Fossum, S. C. Pao, F. A. Lindholm, 1982
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.