Каганович Елла Борисівна

Біографія

Елла Борисівна Каганович народилася 12 червня 1938 року у Києві. У 1961 році закінчила факультет електроніки Київського політехнічного інституту[2]. Після випуску почала працювати в Інституті фізики напівпровідників НАНУ. У 1988 році захистила докторську дисертацію та отримала вчене звання старшої наукової співробітниці, у 2005 році стала головним науковим співробітником.

Наукова діяльність

Е. Б. Каганович досліджує фотоелектричні явища у плівках широкозонних напівпровідників сполук AIIBVI, фотоприймальні структури оптоелектроніки та пристрої оброблення оптичної інформації, лазерні методи формування квантових точок кремнію та германію з екситонною фотолюмінесценцією, плазмонні наноматеріали на основі нанокомпозитних плівок оксидів із наночастками благородних металів і багатошарових планарних наноструктур для цілей оптоелектроніки та сенсорики.

Є співавтором низки патентів[3].

Праці
  • Фотопотенциометры и функциональные фоторезисторы. Москва, 1978;
  • Research of radiative recombination center formation in photoconductive CdS and CdSe films // Thin Solid Films. 1988. Vol. 162;
  • Фотолюминесценция германиевых квантовых точек, сформированных импульсным лазерным осаждением // ФТП. 2007. Т. 41, № 2;
  • Exciton states and photoluminescence in Ge quantum dots // Nanotechnology. 2007. Vol. 18, № 29;
  • Поляризаційно-модуляційна спектроскопія поверхневого плазмонного резонансу в наноструктурах золота, отриманих методом імпульсного лазерного осадження // УФЖ. 2009. Т. 54, № 6 (усі — співавт.).

Примітки
  1. В. М. Томашик. Каганович Елла Борисівна. Енциклопедія Сучасної України.
  2. Провідні випускники та працевлаштування випускників. Кафедра мікроелектроніки НЬТУУ КПІ. Процитовано 23 травня 2016.
  3. Каганович Елла Борисівна у Базі патентів України. uapatents.com. Процитовано 23 травня 2016.

Джерела
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.