Молекулярно-променева епітаксія

Молекулярно-променева епітаксія, МПЕ (англ. Molecular-beam epitaxy, MBE) — метод епітаксіального росту кристалів в умовах надвисокого (10−8 Па) вакууму. Був винайдений на початку 1960-х у Bell Labs Дж. Артуром (англ. J. R. Arthur) і Альфредом Чо (англ. Alfred Y. Cho, кит. 卓以和;).[1]

Схема установки для молекулярно-променевої епітаксії

Метод

Основою методу є осадження випаруваної з молекулярного джерела речовини на кристалічну підкладку. Незважаючи на просту ідею, метод вимагає складних технологічних рішень, а саме:

  • підтримання в робочій камері надвисокого вакууму (порядку 10−8 Па);
  • високу чистоту матеріалів, що випаровуються (має складати 99,999999%).

Посилання
  1. Cho, A. Y.; Arthur, J. R.; Jr (1975). Molecular beam epitaxy. Prog. Solid State Chem. 10: 157–192. doi:10.1016/0079-6786(75)90005-9.

Див. також
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.