Ом

похідна одиниця SI, що має власну назву
безпрефіксна одиниця SI^d
UCUM derived unit^d і похідна одиниця SI[1]
	Ом
	Резистор з електричним опором у 10 Ом (за маркуванням кольоровими мітками)
Загальна інформація
Система одиниць	Похідні одиниці SI
Одиниця	електричного опору
Символ	Ом або Ω
Названа на честь	Георг Симон Ом
Перерахунок в інші системи
1 Ом в...	дорівнює...
основних одиницях SI	кг⋅м2⋅с−3⋅А−2

Ом (Ом, Ω) — одиниця вимірювання електричного опору в системі SI. За визначенням Міжнародного бюро мір і ваг

Один ом дорівнює опору провідника, на кінцях якого виникає напруга один вольт при силі струму один ампер за умови, що в провіднику не виникає жодної електрорушійної сили[2].

1 Ом = 1 В/А = 1 м²·кг·с⁻³·А⁻².

Одиниця названа на честь німецького фізика Георга Ома.

Оберненою одиницею є сименс: 1 См = 1 Ом⁻¹. Крім активного опору у омах вимірюються реактивний опір та імпеданс.

Ом є похідною одиницею системи SI і не вимагає для свого визначення еталона. Однак, історично еталони Ома існували. Починаючи з 1990-х років для точного калібрування фізичних приладів використовується стала фон Клітцинга $R_{K}=h/e^{2}$ величина з розмірністю опору, складена з фундаментальних фізичних констант. Її значення дорівнює 25812.807557(18) Ом[3]. Обернена до неї величина має фізичне значення провідності, яку забезпечує один носій заряду.

Юнікод має спеціальний символ U+2126 Ω, але здебільшого використовується велика грецька літера Ω. При маркуванні резисторів для позначення ома іноді використовується літера R, що ставиться замість десяткової коми: 1R3 = 1,3 Ом.

Примітки

6.5.3 // Quantities and units—Part 1: General — 1 — ISO, 2009. — P. 18. — 41 p.
d:Track:Q15028 d:Track:Q26711930
BIPM SI Brochure: Appendix 1, p. 144
Tzalenchuk, Alexander; Lara-Avila, Samuel; Kalaboukhov, Alexei; Paolillo, Sara; Syväjärvi, Mikael; Yakimova, Rositza; Kazakova, Olga; Janssen, T. J. B. M. та ін. (2010). Towards a quantum resistance standard based on epitaxial graphene. Nature Nanotechnology 5 (3): 186–189. Bibcode:2010NatNa...5..186T. PMID 20081845. arXiv:0909.1220. doi:10.1038/nnano.2009.474.

This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.

[<span_class="wikidata_cite_citetype_Q55771109"_data-entity-id="Q26711930">6.5.3_//_[[:d:Q26711930|Quantities_and_units—Part_1:_General]]<span_class="wef_low_priority_links">_—_1_—_[[:Міжнародна_організація_зі_стандартизації|ISO]],_2009._—_P.&nbsp;18._—_41&nbsp;p.</span></span><div_style="display:none">[[d:Track:Q15028]][[d:Track:Q26711930]]</div>-1] 6.5.3 // Quantities and units—Part 1: General — 1 — ISO, 2009. — P. 18. — 41 p.
d:Track:Q15028 d:Track:Q26711930

[2] BIPM SI Brochure: Appendix 1, p. 144

[3] Tzalenchuk, Alexander; Lara-Avila, Samuel; Kalaboukhov, Alexei; Paolillo, Sara; Syväjärvi, Mikael; Yakimova, Rositza; Kazakova, Olga; Janssen, T. J. B. M. та ін. (2010). Towards a quantum resistance standard based on epitaxial graphene. Nature Nanotechnology 5 (3): 186–189. Bibcode:2010NatNa...5..186T. PMID 20081845. arXiv:0909.1220. doi:10.1038/nnano.2009.474.