Пеленський Роман Андрійович

Досліджено електромагнітні поля у наноприладах. Розкрито механізми впливу поверхневих явищ на електромагнітні процеси у наноплівках. Дисертаціія на тему: Теорія внутрішніх електричних і теплових полів мікроелектронних і термоелектричних приладів — автореферат дисертації, 1992. Спеціальність ВАК РФ: 05.11.04 — Прилади і методи вимірювання теплових величин

• Гамола О. Є., Пеленська І. Р., Пеленський Р. А. Моделювання електрофізичних процесів у субмікро- та наноструктурах. Національний університет «Львівська політехніка», кафедра теоретичної та загальної електротехніки. 2010.
• Пеленський Р. А. Моделювання кремнієвих та вуглецевих наноприладів. / Р. А. Пеленський, О. Є. Гамола // Електроенергетичні та електромеханічні системи : збірник наукових праць / відп. ред. О. Ю. Лозинський. — Л. : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2010. — 148 с.

Бурак Я И., Галапац Б. П.. Пеленский P.A. Диф ур- я термодинамическим процессов в собственны": полупроводника" // Математические методы и ф-мех поля . к., 1975 Вып. 2

Бурак Я. И., Пеленский P.A. Теоретические осиоьы расчета распределения объем,, ах и поверхностный эарядо" & микроэлек-•тронхыя и термоэлектрических устройствах //Теоретическая электротехника Л мол, J976. Вып. 20.

Метод измерения плотности заряда, захваченного на поверхностные уро"ин // Контрольно-измерительная техника. Лью®, 1985. Вып. 37.

Граничные условия электродинамики энергетически неоднородных сред // Зестк. Л. политехи, нн-та. 1982. № 159.

Пеленскнй P.A. Динамика контактных электрических слоев заряд" // Физическая элек оонккг: Респ. мегавед. науч.-техн.сб., Львов. 1931. Вып. 23. .

Пеленскнй P.A.Диффузионное поле континуума основных носителей заряда //' Вести. «1Гьэоа. политехи. и.ч-та. 1981. W» 152

Исследование граничных условий для расчета распределения объемный зарядоз в элемента" микроэлектроники // Теоретическая техн. , 1979. Вып.27.

Контроль яачестаа и оптимизация некоторых териологических проаессоа производстве интегральных схем // Тез. докл. ,Казань, 12-17 окт. 1980 г. Казань, 1981.

Методика исследования контактов // «Физика и технология тонких пленок сложных полупроводников» , Ужгород. 30 сент- 2окт 198! г Ужгород, 198).

Пеленский РА Метод построения полевых моделей выпрямителей // Вести. Львов политехи кн-га 1983 К? 174.

Пеленскнй Р.А Моделирование монополярных структур К , 1987 Рукопись деп в УкрИИИИТИ, № 486 Ук-87 Леп

Пеленскнй Р.А Моделирование процессов" двухконтннуумной системе свободны* заряженных частиц // Тез. докл. Всесоюз конф, "Проблемы нелинейной электротехники " Киев. 23-25 сент 1981 г К., 1981 Ч 3.

Пеленскнй Р А Моделирование процессов микроэлектронных устройств // Моделирование электрофизических и электроэнергетических систем н устройств Сб. научи _тр К , 1983

Пеленскнй P.A. Моделирование процессов перенос заряда н энергии в микроэлектронных структура// Тез докл 1 Всесоюз науч -техн коиф. по теоретической электротехнике Ташкент 17-19 сеит 1987 г Ташкент. 1987.

Пеленскнй P.A. Новый метод построения полевых моделей транзисторов // Теоретическая электротехника. Львов. 1983. Вып 35

Пеленскнй Р А О контактных электрическ слоях // Электричество 1982. К; 6.

Пеленский Р А О перспективах применения полевых моделей полупроводниковых приборов в энергетике н электромеханике // Вести Львов, политехи ин-та.1985 № 194.

Пеленскнй P.A. Основы математического моделирования процессов токо- и теплопереноса в неоднородн средах // Электроэнергетические а электромеханические системы Вестннк ЛПИ, Вып. 224, 1988.

Расширенные математические модели шшрэздечтрои-ныя структур // Известия вузов — Электромеханика, Kt В, 19S1.

Свойства сосредоточенного контактного электрического слоя // Вести. Льеов. политехи, ин-та. 1981.

Сандулова А.В., Заганяч Ю. И., Пеленеский P.A. Точность преобразователей механических величин на основе полупроводниковых тенэорезисторов // Тез. докл. Всесоюз. конф. «Состояние н перспективы развития электро-теизометрнк», Ленинград, 22-24 апр. 1973 г. Л., 1973.

Сандулова A.B., Марьямова И. И., Заганяч Ю. И., Пеленский P.A. Технолога 1 создания и исследование свойств контактов на полупроводниковых тензодатчиках // Полупроводниковая тензометрия: Тр. Всесоюз. совещания. Новосибирск, 1968. Т. 1.

Сандулова А.В, Пеленский P.A., Заганяч Ю. И. Стабильность полупроводниковых тензорезисторов // Приборы и системы управления. 1973.

• Пеленський Р. А. Елементи теорії наномагнетизму / Національний університет «Львівська політехніка», кафедра ТЗЕ.

• Офіційна сторінка Національного Університету «Львівська Політехніка»
• Центр Телекомунікаційних та Інформаційних Технологій Національного Університету «Львівська Політехніка»
• Видавництво Національного Університету «Львівська Політехніка»
• Сайт випускників Львіської політехніки Архівовано 6 березня 2012 у Wayback Machine.(пол.)
• Інститут Комп'ютерних наук та інформаційних технологій Національного Університету «Львівська Політехніка»
• Історія Львівської політехніки