Радіус Дебая
Радіус Дебая або дебаївський радіус екранування - величина із розмірністю довжини, якою характеризує екранування кулонівського потенціалу в напівпровідниках, плазмі, електролітах.
Природа явища
Якщо помістити пробний заряд у середовище із вільними носіями заряду, то електростатичне поле на певній віддалі від нього визначатиметься сумою електростатичного поля самого пробного заряду й розташованих навколо заряджених частинок середовища. Оскільки заряджені частинки в свою чергу взаємодіють із полем пробного заряду, то вони притягатимуться до нього або відштовхуватимуться від нього. Сумарну дію всіх зарядів можна визначити, розв'язуючи рівняння Пуасона [1]
- ,
де - електростатичний потенціал, - діелектрична проникність, ρ - густина зарядів середовища, - густина пробного заряду.
Густина заряду ρ в свою чергу залежить від значення електростатичного потенціалу . Ця залежність визначається природою середовища. Розв'язок рівняння Пуасона з конкретною залежністю між густиною заряду та потенціалом загалом дає для потенціалу вираз, який експоненціально спадає з віддаллю (на відміну від повільного кулонівського потенціалу). Показник у експоненті визначає радіус Дебая.
Напівпровідники
Для напівпровідників радіус Дебая визначається формулою
- ,
де e - заряд електрона, - стала Больцмана, T - температура, n - концентрація заряджених частинок (електронів та дірок), - діелектрична проникність напівпровідника.
Екранований кулонівський потенціал виражається через радіус Дебая як
- .
Для металів, де концентрація електронів у наполовину заповненій валентній зоні набагато більша, екранування кулонівської взаємодії сильніше й визначається іншою величиною: радіусом Томаса-Фермі.
Назва
Радіус Дебая завдячує своєю назвою нідерландському фізику Петеру Дебаю.
Примітки
- Формули на цій сторінці записані в системі СГС (СГСГ). Для перетворення в Міжнародну систему величин (ISQ) дивись Правила переводу формул із системи СГС в систему ISQ.