Карбід кремнію
Карбі́д кре́мнію (карборунд) — бінарна неорганічна хімічна сполука кремнію з вуглецем.
| Карбід кремнію | |
|---|---|
 Зразок карбіду кремнію | |
| Інші назви | карборунд муассаніт |
| Ідентифікатори | |
| Номер CAS | 409-21-2 |
| PubChem | 9863 |
| Номер EINECS | 206-991-8 |
| Назва MeSH | Silicon+carbide |
| ChEBI | 29390 |
| RTECS | VW0450000 |
| SMILES |
[C-]#[Si+] |
| InChI |
InChI=1S/CSi/c1-2 |
| Номер Гмеліна | 13642 |
| Властивості | |
| Молекулярна формула | CSi |
| Молярна маса | 40,1 г/моль |
| Молекулярна маса | 39,976926533 г/моль |
| Зовнішній вигляд | безколірні кистали |
| Густина | 3,21 г·см−3 (усі політипи)[1] |
| Тпл | 2730 |
| Показник заломлення (nD) | 2,55 (інфрачервона область; усі політипи)[2] |
| Небезпеки | |
| Класифікація ЄС | не числиться |
| NFPA 704 |
 0
1
0
|
| Якщо не зазначено інше, дані наведено для речовин у стандартному стані (за 25 °C, 100 кПа) | |
| Інструкція з використання шаблону | |
| Примітки картки | |
Загальний опис
Хімічна формула SiC. У природі зустрічається у вигляді надзвичайно рідкісного мінералу — муассаніту. Порошок карбіду кремнію був отриманий в 1893. Використовується як абразив, напівпровідник, штучні дорогоцінні камені.
Існує приблизно 250 кристалічних форм карбіду кремнію[3].
Поліморфізм SiC характеризується великою кількістю схожих кристалічних структур, які називають політипами. Вони є варіаціями однієї й тієї ж хімічної сполуки, які ідентичні у двох вимірах, але відрізняються у третьому.
Таким чином, їх можна розглядати як шари, складені стовпчиком у певній послідовності[4].
Структура
- Структури основних політипів SiC
(β)3C-SiC
4H-SiC
(α)6H-SiC
Див. також
Примітки
- Patnaik, P. (2002). Handbook of Inorganic Chemicals. McGraw-Hill. ISBN 0-07-049439-8.
- Properties of Silicon Carbide (SiC). Ioffe Institute. Процитовано 6 червня 2009.
- Cheung, Rebecca (2006). Silicon carbide microelectromechanical systems for harsh environments. Imperial College Press. с. 3. ISBN 1860946240.
- Morkoç, H.; Strite, S.; Gao, G. B.; Lin, M. E.; Sverdlov, B.; Burns, M. Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies. — Journal of Applied Physics, 1994. — С. 1363. — DOI:10.1063/1.358463.
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.