Напівпровідникові прилади

Електронні компоненти на основі напівпровідників.

До напівпровідникових приладів належать:

Цей перелік не є повним. Ти можеш допомогти розширити його.

• На сьогоднішній день кремній (Si) є найбільш широко використовуваним матеріалом у напівпровідникових пристроях. Його поєднання з низькою вартістю сировини, відносно простою обробкою та широким температурним діапазоном робить його найкращим компромісом серед різних конкуруючих матеріалів. Кремній, що використовується у виробництві напівпровідникових пристроїв, в даний час виготовляється з булі, які мають досить великий діаметр, щоб можна було виготовити пластини 300 мм (12 дюймів).
• Германій (Ge) був широко використовуваним раннім напівпровідниковим матеріалом, проте його теплова чутливість робить його менш корисним, ніж кремній. Сьогодні германій часто легують кремнієм для використання у високошвидкісних пристроях SiGe. IBM є основним виробником таких пристроїв.
• Арсенід галію (GaAs) також широко застосовується у високошвидкісних пристроях, але до цих пір складно було сформувати кульки великого діаметру з цього матеріалу, обмеживши діаметр розмірами, значно меншими, ніж кремнієві пластини, завдяки чому масове виробництво пристроїв GaAs значно дорожче кремнію.
• Інші менш поширені матеріали також знаходяться у використанні або досліджуються.Карбід кремнію (SiC) знайшов деяке застосування в якості сировини для синіх світлодіодів (LED) і досліджується для використання в напівпровідникових пристроях, які могли б витримати дуже високі робочі температури та навколишнє середовище з значним рівнем іонізуючого випромінювання. Діоди IMPATT також виготовлені з SiC.Різні сполуки індію (арсенід індію, антимонід індію та фосфід індію) також використовуються в світлодіодах та твердотільних лазерних діодах. Сульфід селену вивчається при виробництві фотоелектричних сонячних батарей.Найбільш поширене використання для органічних напівпровідників - це органічні світлодіоди.

• Напівпровідник
• Електронні компоненти