Лео Есакі

|портрет= |Знамениті учні= |Ім?я=

Лео Есакі
яп. 江 崎 玲 于 奈
Народився	12 березня 1925(1925-03-12) (96 років) Осака, Японія
Місце проживання	Японія
Країна	Японія
Діяльність	фізик
Alma mater	Токійський університет
Галузь	фізика
Заклад	Кіотський університет, Shibaura Institute of Technologyd, Цукубський університет, Yokohama College of Pharmacyd, Kwansei Gakuin Universityd, Q11479168?, Sony і IBM Thomas J. Watson Research Centerd
Членство	Національна академія наук США[1], Академія наук Японії, Американська академія мистецтв і наук, Російська академія наук, Американське філософське товариство[1] і Національна академія наук Італіїd
Нагороди	IBM Fellowd Нобелівська премія з фізики (1973) медаль Стюарта Баллантайнаd (1961) премія Гарольда Пендераd (1989) Медаль пошани IEEE (1991) IEEE Morris N. Liebmann Memorial Awardd (1961) заслужений діяч культуриd (1974) Asahi Prized (1959) член Американського фізичного товариства Премія Японії (1998) Nishina Memorial Prized (1959)
Лео Есакі у Вікісховищі

Ле́о Еса́кі (яп. 江 崎 玲 于 奈 Есакі Реона , відомий також як Рео́на Еса́кі та Лео́на Еса́кі; нар. 12 березня 1925, Осака, Японія) — японський фізик, лауреат Нобелівської премії з фізики в 1973 р. Половина премії, спільно з Айвором Джайевером, «за експериментальні відкриття тунельних явищ в напівпровідниках і надпровідниках». Друга половина присуджена Б. Д. Джозефсона «за теоретичне передбачення властивостей струму, що проходить через тунельний бар'єр, зокрема явищ, загальновідомих нині під назвою ефектів Джозефсона». Лео Есакі також відомий як винахідник діода Есакі, що використовує ефект тунелювання електрона.

Лео Есакі вивчав фізику в Токійському університеті, отримав ступінь бакалавра в 1947 р. , ступінь доктора філософії в 1959 р. Нобелівську премію отримав за дослідження, проведені в 1958 р. під час роботи в компанії Sony. Згодом у 1960 р. переїхав в США і став працювати в дослідницькому центрі фірми IBM, де був удостоєний звання лауреата IBM в 1967 р.