Волтер Гаузер Браттейн

Волтер Браттейн
Народився 10 лютого 1902(1902-02-10)[1][2][…]
Сямень, Fujian Province (Qing dynasty)d, Династія Цін
Помер 13 жовтня 1987(1987-10-13)[1][2][…] (85 років)
Сіетл, США
·хвороба Альцгеймера
Країна  США
Діяльність фізик, винахідник
Alma mater Whitman College
Орегонський університет
Міннесотський університет
Галузь фізика
Заклад Whitman Colleged
Науковий керівник John Torrence Tate, Sr.d
Членство Національна академія наук США, Американська академія мистецтв і наук, AAAS[3] і Американське фізичне товариство[3]
Відомий завдяки: винахід транзистора
Брати, сестри Robert Brattaind
У шлюбі з Keren Gilmore Brattaind і Emma Jane Millerd
Нагороди Нобелівська премія з фізики (1956)

 Волтер Гаузер Браттейн у Вікісховищі

Волтер Гаузер Браттейн (англ. Walter Houser Brattain; 10 лютого 1902, Сямень, Китай 13 жовтня 1987, Сіетл) американський фізик, лауреат Нобелівської премії з фізики в 1956 році «за дослідження напівпровідників і відкриття транзисторного ефекту» (разом з Вільямом Бредфордом Шоклі і Джоном Бардіном).

Біографія

Волтер Браттейн народився в родині Росса Р. Браттейна й Оттіль Гаузер у місті Сямень (Амой) у Китаї. Виріс у штаті Вашингтон, США. Ступінь бакалавра здобув у 1924 році в Уїтменському коледжі, ступінь магістра в 1926 році в Орегонському університеті. Після захисту дисертації в 1929 році в Університеті Міннесоти влаштовується на роботу в лабораторії Белла.

У 1935 році Браттейн одружився з Керен Гілмор, яка була хіміком за спеціальністю. У них народився син Вільям Гілмор Браттейн. 10 квітня 1957 року Керен померла.

У 1958 році вдруге одружився з Еммі Міллер. В 1970-х роках він переїхав до Сіетла і жив там до смерті.

Помер від хвороби Альцгеймера 13 жовтня 1987 року у Сіетлі. Похований на міському кладовищі Померой у Вашингтоні.[4]

Наукова діяльність

Браттейн займався переважно властивостями поверхонь твердих тіл. Після перших своїх досліджень вольфраму він зайнявся поверхневими ефектами в напівпровідниках, таких як кремній і германій, і зробив суттєвий внесок у їхнє розуміння. Разом із Джоном Бардіном розробив транзистор на точковому p-n переході.

В 1952 році доктор Браттейн отримав ступінь почесного доктора наук у Портлендському університеті.

В 1956 році визнаний гідним, разом з Джоном Бардіном і Вільямом Шоклі, Нобелівської премії з фізики «за дослідження напівпровідників і відкриття транзисторного ефекту».

Доктор Браттейн — член Національної академії наук та Інституту Франкліна, член Американського фізичного товариства[5].

Нагороди

Література

Примітки

  1. Encyclopædia Britannica
  2. SNAC — 2010.
  3. NNDB — 2002.
  4. Walter Houser Brattain (1902-1987) - Find a Grave.... www.findagrave.com (англ.). Процитовано 10 лютого 2022.
  5. The Nobel Prize in Physics 1956. NobelPrize.org (амер.). Процитовано 10 лютого 2022.

Посилання


    This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.